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      碳化硅金屬-氧化物半導體場效應晶體管(SiC MOSFET)

      芯塔電子SiC MOSFET應用于新能源汽車、工業變頻、充電樁、光伏逆變器、儲能、UPS等領域。產品具有高耐壓、低導通電阻、高可靠性、高開關頻率的性能優勢。SiC器件與Si器件相比開關頻率提高5倍以上,開關損耗降低50%以上,體統體積可減小50%以上,新能源汽車電機控制器中應用SiC器件續航里程增加10%左右。芯塔電子第二代自主開發的SiC MOSFET基于自主開發的XM 2.0技術平臺,

      型號 漏源電壓(V) 導通電阻(mΩ) 漏極電流(A) 封裝形式 規格書
      TM2G1000170J 1700 1000 5 TO-263-7
      TM2G0650170D 1700 650 9 TO-247-3
      TM2G0080120J 1200 80 42 TO-263-7
      TM2G0080120K 1200 80 42 TO-247-4
      TM2G0080120D 1200 80 42 TO-247-3
      TM2G0040120K 1200 40 75 TO-247-4
      TM2G0040120D 1200 40 75 TO-247-3
      TM2G0060065K 650 60 27 TO-247-4
      TM2G0060065J 650 60 27 TO-263-7
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