碳化硅肖特基二極管（SiC SBD）

芯塔電子SiC SBD應用于電源PFC、充電樁、光伏逆變器、微型逆變器、數據中心服務器電源、新能源汽車、儲能、UPS、工業變頻等領域。產品具有無反向恢復電流、超高工作頻率、正溫度系數的正向壓降等優勢。SiC器件與Si器件相比開關損耗降低30%以上，可提升整體系統效率2%以上。芯塔電子第五代SiC SBD基于自主開發的XQ2.0技術平臺，產品具有低正向壓降、高浪涌電流和雪崩能力等技術優勢。

碳化硅金屬-氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）

芯塔電子SiC MOSFET應用于新能源汽車、工業變頻、充電樁、光伏逆變器、儲能、UPS等領域。產品具有高耐壓、低導通電阻、高可靠性、高開關頻率的性能優勢。SiC器件與Si器件相比開關頻率提高5倍以上，開關損耗降低50%以上，體統體積可減小50%以上，新能源汽車電機控制器中應用SiC器件續航里程增加10%左右。芯塔電子第二代自主開發的SiC MOSFET基于自主開發的XM 2.0技術平臺，

600-3300V客制化SiC功率器件

芯塔電子可以為客戶定制化SiC功率器件和裸芯片，以滿足客戶特殊的應用需求。