日本瑞薩投資900億日元用于甲府工廠

日本瑞薩5月18日宣布，將對其位于甲府的甲府工廠進行價值900億日元的投資。他們指出，雖然工廠于2014年10月關閉，但瑞薩電子計劃在2024年重新開放該工廠，作為能夠制造IGBT和功率MOSFET的300毫米功率半導體晶圓廠。瑞薩表示，隨著碳中和勢頭的增長，預計全球對供應和管理電力的高效功率半導體的需求將在全球范圍內急劇增加。瑞薩特別預計電動汽車(EV)的需求將快速增長，因此計劃提高其IGBT等功率半導體的產能，為脫碳做出貢獻。

安世半導體與京瓷展開三代半合作

5月19日，Nexperia（安世半導體）官網發文稱，他們將和日本京瓷集團子公司KYOCERA AVX Components Salzburg，就氮化鎵汽車電源模塊達成合作伙伴關系，旨在開發用于電動汽車的GaN功率組件。此次，京瓷集團的基板技術有望為開發車規級氮化鎵功率模塊提供助力，京瓷的多層氮化硅陶瓷覆銅基板技術已經在車規級IGBT方面應用廣泛。

信越化學宣布擴大GaN量產系統

5月18日，全球第一大半導體硅片廠商信越化學（Shin-Etsu Chemical）官網宣布，他們將擴大其GaN量產系統，加速氮化鎵外延生長襯底的商業化。信越表示，他們在2019年與美國Qromis開展了第一次合作，雙方就制造GaN襯底材料的專利Qromis Substrate Technology(QST?)簽訂了許可協議。信越負責生產QST襯底和GaN-on-QST外延晶片，并借助QST補充其現有的GaN-on-Si產品陣容。而在信越此次的擴產中，它將與Qromis繼續展開深入合作，通過其專有技術改進6吋和8吋的QST襯底供應系統，要將產量翻倍，以滿足市場快速增長的需求。

Marelli宣布為標致運動提供SiC解決方案

5月16日，Marelli官網宣布，他們將為Peugeot Sports（標致運動）的9X8超級跑車提供基于碳化硅逆變器的工程設計和供應等。Marelli是意大利設備制造商，2018年被日本Calsonic Kansei收購。此次Marelli標致與合作，Calsonic將提供高性能電動機和基于碳化硅的逆變器，而開發的重點是最大限度地提高系統的效率和可靠性。